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| 型号: | S-93C56BD0H-J8T1G |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SEIKO INSTRUMENTS USA INC |
| 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e6/e2 |
| 长度： | 5.02 mm |
| 内存密度： | 2048 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 128 words |
| 字数代码： | 128 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128X16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 串行总线类型： | MICROWIRE |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN BISMUTH/TIN SILVER |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 宽度： | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 8 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
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