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  • S-LBAV70LT1G图
  • 深圳市烨弘轩电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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配单直通车
S-LBAV70LT1G产品参数
型号:S-LBAV70LT1G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.66
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.225 W
参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:70 V
最大反向恢复时间:0.006 µs
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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