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| 型号: | SI2301DS-T1 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 |
| Samacsys Confidence： | 1 |
| Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/1105483.1.1.png |
| Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1105483 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1105483 |
| 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1105483 |
| Samacsys PartID： | 1105483 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/SI2301DS-T1.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/SI2301DS-T1.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) |
| Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | SOT-23 (TO-236) |
| Samacsys Released Date： | 2018-08-08 08:38:32 |
| Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.3 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
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