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SI5471DC-T1-GE3产品参数
型号:SI5471DC-T1-GE3
是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
包装说明:SMALL OUTLINE, R-XDSO-C8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:7.35
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/403473.1.2.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=403473
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=403473
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=403473
Samacsys PartID:403473
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/SI5471DC-T1-GE3.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/SI5471DC-T1-GE3.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:SI5471DC-T1-GE3-3
Samacsys Released Date:2020-03-19 14:21:44
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):6 A
最大漏源导通电阻:0.02 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XDSO-C8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:PURE MATTE TIN
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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