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SI6866DQ产品参数
型号:SI6866DQ
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.67 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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