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SI6969BDQ-T1-E3产品参数和技术文档

SI6969BDQ产品图

SI6969BDQ-T1-E3产品参考价格

SI6969BDQ-T1-E3产品参数

品牌:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
30 毫欧 @ 4.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
830mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装
8-TSSOP
基本零件编号
SI6969
标准包装
3,000
其它名称
SI6969BDQ-T1-E3TR
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: S1621-46 SF45 SI8236AA-C-IM SL23EP09ZI-1HT SN74LV10ADGVRE4 SI8235BB-C-IM SMBG28A SM840051KA SPP1413 SK30GH067

服务电话: 0755-32882616 0755-32882615

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