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SIS438DN Datasheet技术文件下载

SIS438DN-T1-GE3产品参数和技术文档

SIS438DN产品图

SIS438DN-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.35851
$1,075.54

SIS438DN-T1-GE3产品参数

品牌:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
详细描述:
表面贴装 N 沟道 20V 16A(Tc) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK® 1212-8
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
9.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
880pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.5W(Ta),27.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
标准包装
3,000
其它名称
SIS438DN-T1-GE3-ND SIS438DN-T1-GE3TR SIS438DNT1GE3
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
全选 (询价技巧:选中型号前面的多选框,可以同时向多家询价。)
产品索引: SN74AHC00DBRE4 STTH1202 SM15T15CAY SK34-T3 SN74CB3Q16811DL S9S12XS128J1MALR SDD60N18 SC01000912 SN74LVTH652NSR SN74LVC16374

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