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STD1NK80 Datasheet技术文件下载

STD1NK80Z-1产品参数和技术文档

STD1NK80产品图

STD1NK80Z-1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.35000
$1.35
10
1.19800
$11.98
100
0.94670
$94.67
500
0.73416
$367.08
1,000
0.57960
$579.60

STD1NK80Z-1产品参数

品牌:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
详细描述:
通孔 N 沟道 800V 1A(Tc) 45W(Tc) I-PAK
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
16 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.7nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
160pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
45W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装
75
其它名称
497-16198-5 STD1NK80Z-1-ND
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • STD1NK80
    优势库存
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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产品索引: S-1137A29-I6T2U SMBJ5356B SRF1280-150M SI51210-A01AFMR SI8718BC-A-IS SEBLC08C-TG-WS SN54LS382AJ SR2045CT SN74AHCT374DWRE4 SPC5645BF0VLU1

服务电话: 0755-32882616 0755-32882615

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