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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家CYPRESS 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 厂家Cypress Semiconductor Corp 
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 厂家INFINEON 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家CYPRESS-赛普拉斯 
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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 厂家Cypress 
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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 厂家Cypress Semiconductor Corp 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家Cypress Semiconductor Corp 
  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 厂家Cypress Semiconductor Corp 
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S25FL128SAGBHV200产品参数
型号:S25FL128SAGBHV200
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:TBGA, BGA24,5X5,40
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:2.07
Is Samacsys:N
其他特性:ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1
备用内存宽度:2
启动块:BOTTOM
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PBGA-B24
长度:8 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:4
功能数量:1
端子数量:24
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:105 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32MX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA
封装等效代码:BGA24,5X5,40
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.0003 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
类型:NOR TYPE
宽度:6 mm
最长写入周期时间 (tWC):500 ms
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1
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