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S25FL512SAGBHB210产品参数
型号:S25FL512SAGBHB210
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:TBGA,
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:2.19
Samacsys Description:Cypress Semiconductor S25FL512SAGBHB210, CFI, Parallel, SPI NOR 512Mbit Flash Memory Chip, 24-Pin BGA
其他特性:ITS ALSO CONFIGURABLE AS 512MX1
备用内存宽度:1
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
JESD-30 代码:R-PBGA-B24
长度:8 mm
内存密度:512753664 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:24
字数:64094208 words
字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:105 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:64MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:3 V
筛选级别:AEC-Q100; TS 16949
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:6 mm
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