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  • S29AL016J70FAN023图
  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • S29AL016J70FAN023
  • 数量90000 
  • 厂家CYPRESS 
  • 封装N/A 
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  • QQ:1157099927QQ:2039672975
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  • S29AL016J70FAN023图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家英飞凌/赛普拉斯 
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配单直通车
S29AL016J70FFI022产品参数
型号:S29AL016J70FFI022
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:LBGA, BGA64,8X8,40
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.37
Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:YES
JESD-30 代码:S-PBGA-B64
长度:9 mm
内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,31
端子数量:64
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LBGA
封装等效代码:BGA64,8X8,40
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.4 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:9 mm
Base Number Matches:1
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