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  • S29GL064N90BFI040A图
  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • S29GL064N90BFI040A
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  • S29GL064N90BFI040A图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • S29GL064N90BFI040A
  • 数量36294 
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配单直通车
S29GL064N90BFI042产品参数
型号:S29GL064N90BFI042
是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:8.15 X 6.15 MM, LEAD FREE, FBGA-48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.41
Samacsys Description:NOR Flash Nor
最长访问时间:90 ns
备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e1
长度:8.15 mm
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
部门数/规模:8,127
端子数量:48
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA48,6X8,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小:8/16 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1 mm
部门规模:8K,64K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:6.15 mm
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