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| 型号: | S29GL512N10FAI010 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 包装说明： | BGA, BGA64,8X8,40 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.85 |
| 最长访问时间： | 100 ns |
| 备用内存宽度： | 8 |
| 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B64 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 |
| 部门数/规模： | 512 |
| 端子数量： | 64 |
| 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA64,8X8,40 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY |
| 页面大小： | 8/16 words |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 128K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.09 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
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