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| 型号: | S29JL064H90BAI002 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 90 ns |
| 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM/TOP |
| 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 |
| 部门数/规模： | 16,126 |
| 端子数量： | 63 |
| 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,8X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 8K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.045 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
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