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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家CYPRESS 
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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 厂家Cypress Semiconductor Corp 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 厂家Cypress 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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S29VS064RABBHW000产品参数
型号:S29VS064RABBHW000
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:VFBGA, BGA44,8X14,20
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.47
最长访问时间:80 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK
启动块:TOP
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B44
长度:7.5 mm
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:4,127
端子数量:44
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA44,8X14,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V
编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1 mm
部门规模:8K,32K
最大待机电流:0.00007 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.076 mA
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.5 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:5 mm
Base Number Matches:1
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