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  • S34SL02G200BHI003图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • S34SL02G200BHI003
  • 数量2300 
  • 厂家CYPRESS 
  • 封装IC 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • S34SL02G200BHI003
  • 数量660000 
  • 厂家Cypress Semiconductor Corp 
  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量6500000 
  • 厂家英飞凌/赛普拉斯 
  • 封装原厂原装 
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配单直通车
S34SL04G200BHI000产品参数
型号:S34SL04G200BHI000
生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:VFBGA, BGA63,10X12,32
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79
命令用户界面:YES
JESD-30 代码:R-PBGA-B63
长度:11 mm
内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:4K
端子数量:63
字数:536870912 words
字数代码:512000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512MX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA63,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小:2K words
并行/串行:PARALLEL
编程电压:3 V
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1 mm
部门规模:128K
最大待机电流:0.00007 A
最大压摆率:0.032 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
类型:NAND TYPE
宽度:9 mm
Base Number Matches:1
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