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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京天阳诚业科贸有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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产品型号S8050-AP的Datasheet PDF文件预览

S8050  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
S8050-B  
S8050-C  
S8050-D  
Micro Commercial Components  
Features  
x
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
Collector-current 0.5A  
NPN Silicon  
Transistors  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Marking : S8050  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
TO-92  
A
E
C
B
E
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
C
(I =100uAdc, IC=0)  
E
I
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
CBO  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
I
Collector Cutoff Current  
CEO  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=3.0Vdc, I =0)  
C
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
85  
50  
---  
---  
---  
300  
---  
---  
---  
(I =50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DCCurrent Gain  
(I =500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VEB  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.6  
1.2  
1.4  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =500mAdc, IB=50mAdc)  
C
DIMENSIONS  
Base- Emitter Voltage  
(IE=100mAdc)  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.010  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
fT  
Transistor Frequency  
150  
---  
MHz  
(I =20mAdc, VCE=6.0Vdc, f=30MHz)  
C
E
G
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
Range  
B
C
D
85-150  
120-200  
160-300  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 5  
2007/03/02  
M C C  
TM  
Micro Commercial Components  
***IMPORTANT NOTICE***  
Micro Commercial Components Corp . reserves the right to make changes without further notice to any  
product herein to make corrections, modifications , enhancements , improvements , or other changes .  
Micro Commercial Components Corp . does not assume any liability arising out of the application or  
use of any product described herein; neither does it convey any license under its patent rights ,nor  
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and will agree to hold Micro Commercial Components Corp . and all the companies whose  
products are represented on our website, harmless against all damages.  
***APPLICATIONS DISCLAIMER***  
Products offer by Micro Commercial Components Corp . are not intended for use in Medical,  
Aerospace or Military Applications.  
www.mccsemi.com  
2 of 2  
Revision: 5  
2007/03/02  
配单直通车
S8050-AP产品参数
型号:S8050-AP
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
JESD-609代码:e3
端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1
  •  
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