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  • SA8.0AHE3/73图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • SA8.0AHE3/73
  • 数量36218 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装DO-204 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥1.4元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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SA8.0AHR产品参数
型号:SA8.0AHR
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIGITRON SEMICONDUCTORS
包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69
其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:9.83 V
最小击穿电压:8.89 V
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2.5 W
参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:8 V
表面贴装:NO
技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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