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产品型号SB3100的概述

芯片SB3100的概述 SB3100是一款广泛应用于电子通信和信号处理领域的集成电路。其设计初衷是为了提供高效、可靠的功率管理解决方案，同时能够支持多种通信协议。SB3100特别适合于无线通信、数据传输和信号放大等应用场景。该芯片凭借其低功耗、高性能和易于集成的特点，成为了现代电子设备中不可或缺的组件之一。芯片SB3100的详细参数 SB3100的核心参数包括但不限于以下几个方面： 1. 工作电压：SB3100能够在3.3V至5V的工作电压范围内稳定运行，适应多种电源环境。 2. 功耗：该芯片在标准工作条件下的功耗低于1W，具备良好的节能特性。 3. 工作温度范围：SB3100可在-40°C至85°C的环境条件下正常运作，适合在恶劣环境下使用。 4. 通信接口：支持I2C、SPI、UART等多种通信协议，可以与多种微控制器或处理器进行交互。 5. 数据传输速率：SB3100能够支持最...

产品型号SB3100的Datasheet PDF文件预览

SB370 - SB3100

3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Capability

High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

Surge Overload Rating to 80A Peak

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

DO-201AD

Min

Plastic Material - UL Flammability

Classification 94V-0

Dim

Max

25.40

7.20

Mechanical Data

9.50

1.30

5.30

1.20

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

4.80

All Dimensions in mm

Polarity: Cathode Band

Weight: 1.1 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

SB370

SB380

SB390

SB3100

100

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_R(RMS)

I_O

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

(Note 1)

3.0

@ T_L= 80°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I_FSM

Forward Voltage

@ I_F= 3.0A

V_FM

I_RM

0.79

Peak Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T_A25°C

0.5

@ T_A= 100°C

C_j

Typical Junction Capacitance (Note 2)

250

K/W

°C

R_qJA

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

T_j,T_STG

-65 to +150

Notes:

1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

DS30134 Rev. 2 - 2

1 of 2

SB370-SB3100

1 0 0

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.1

0.5

0.01

100

125

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics

T_L, LEAD TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Forward Current Derating Curve

1000

T_j= 25°C

f=1.0MHz

Single Half-Sine-Wave

(JEDEC Method)

T_j= 100°C

100

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current

100

0.1

100

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Junction Capacitance

100

T_j= 100°C

1.0

T_j= 75°C

0.1

T_j= 25°C

0.01

100 120

140

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)

Fig. 5 Typical Reverse Characteristics

DS30134 Rev. 2 - 2

2 of 2

SB370-SB3100

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SB3100产品参数

型号:	SB3100
类别：	Diodes
配置：	Single
VRRM (V) max：	100
IF (A) max：	3
VF (V) max：	0.85
Condition1_IF (A)：	3
IFSM (A) max：	80
IR (uA) max：	500
Condition2_VR (V)：	100
AEC Qualified：	NO
最高工作温度：	150
最低工作温度：	-55
是否无铅：	否
符合Reach：	YES
符合RoHS：	YES
Package Outlines：	DO-27

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