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SBAS16XV2T1G产品参数
型号:SBAS16XV2T1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2
针数:2
制造商包装代码:502-01
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:0.91
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/980458.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=980458
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=980458
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=980458
Samacsys PartID:980458
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/SBAS16XV2T1G.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/SBAS16XV2T1G.jpg
Samacsys Pin Count:2
Samacsys Part Category:Diode
Samacsys Package Category:Small Outline Diode Flat Lead
Samacsys Footprint Name:SOD?523__
Samacsys Released Date:2019-10-10 11:08:30
Is Samacsys:N
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.715 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:0.5 A
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.2 W
参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.006 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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