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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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SBR660CTT4G产品参数
型号:SBR660CTT4G
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:DPAK
包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3/2
针数:3/2
制造商包装代码:CASE 369C-01
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:5.55
其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:FAST RECOVERY POWER
外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.9 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:75 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:40 V
最大反向电流:100 µA
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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