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型号: | SCM586P256I50 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | SONY CORP |
包装说明: | DIMM, DIMM160 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 |
其他特性: | 8K X 8 TAG |
最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N160 |
内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | CACHE TAG SRAM MODULE |
内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 |
端子数量: | 160 |
字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 32KX64 |
输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM160 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3,5 V |
认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.11 A |
最小待机电流: | 3.13 V |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.6 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO |
技术: | MOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
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