SDIN4C2-4G 芯片概述
SDIN4C2-4G 是一款广泛应用于电子设备中的存储芯片,特别是移动终端、物联网设备与嵌入式系统。作为一款 NAND 闪存芯片,SDIN4C2-4G 提供了较大的存储容量,并具有高读写速度、低功耗等优点。这使得它在各种应用场景中都表现出色。
SDIN4C2-4G 芯片的设计专注于性能和可靠性,能够满足现代电子产品对高速存储的需求。该芯片的存储容量为 4GB,适用于需要快速数据读取和写入的应用场景,如音频、视频存储及应用数据的缓存。
芯片SDIN4C2-4G的详细参数
SDIN4C2-4G 的主要技术参数如下:
- 存储类型:NAND闪存 - 存储容量:4GB - 数据传输接口:SPI 接口(可选) - 工作电压:2.7V - 3.6V - 读写速度: - 连续读取速度:高达 40MB/s - 连续写入速度:高达 30MB/s - 温度范围:-40°C 至 85°C - 功耗:典型功耗为 100mA,待机功耗为 10µA - 封装类型:BGA(Ball Grid Array) - 颗粒尺寸:32nm
这些参数表明,SDIN4C2-4G 能够在各种环境条件下有效运行,并提供高性能的数据处理能力。
厂家、包装与封装
SDIN4C2-4G 由知名电子元器件制造商生产,确保了产品的质量与可靠性。其封装形式采用 BGA(Ball Grid Array),这种封装技术不仅能有效降低芯片的空间占用,提高PCB的设计自由度,还能够提升散热性能。
包装:
SDIN4C2-4G 芯片的包装通常按照行业标准进行,确保在运输和存储过程中,芯片不受损坏。包装内包含 ESD(静电放电)防护材料,以防止静电对芯片造成的影响。出厂时的包装规范包括:
- 每个包装内含有一定数量的芯片(通常为 100 片或更多) - 包装盒上标明批次号、生产日期、存储条件等信息,以便追溯
引脚和电路图说明
SDIN4C2-4G 芯片的引脚设计通常包含多个功能引脚,以支持数据传输、控制信号和电源供给。典型的引脚配置如下:
- VCC: 电源引脚,通常接到 2.7V - 3.6V 的电源 - GND: 地线引脚,连接到系统的公共地 - DI: 数据输入引脚,用于接收输入数据 - DO: 数据输出引脚,用于发送输出数据 - SCK: 时钟信号引脚,控制数据传输速度 - CS: 片选信号,用于选择具体的存储芯片
电路图通常通过规范化的符号表示出引脚的连接关系,以便于设计工程师在原理图中进行集成。
简单电路图示例:
+---------+ | SDIN4C2 | | | |DI DO | |VCC GND | |SCK CS | +---------+
使用案例
SDIN4C2-4G 的应用场景非常广泛,以下是几个典型的使用案例:
1. 移动设备:在智能手机和平板电脑中,SDIN4C2-4G 通常用作数据存储器,存储操作系统、应用程序和用户数据。其高速读写性能使得访问速度非常快,用户体验良好。
2. 物联网设备:在智能家居和工业物联网应用中,SDIN4C2-4G 用于存储传感器数据和日志。这些数据可以实现快速读取,以便远程监控和数据分析。
3. 嵌入式系统:在自动化设备和控制系统中,SDIN4C2-4G 用于存储固件以及实时运行数据,为系统提供快速的数据读取和写入能力。
4. 教育和科研领域:在开发嵌入式系统时,SDIN4C2-4G 可用于存储实验数据和算法模型,方便数据的处理与分析。
5. 汽车电子:在现代汽车中,SDIN4C2-4G 也被广泛应用于车载娱乐系统和导航设备,其高速存储能力有助于优化用户体验并提高系统性能。
总之,SDIN4C2-4G 芯片凭借其高效的性能和灵活的应用范围,在当今快速发展的电子行业中展现出其显著的价值和潜力。其在各个领域的广泛应用,展现了未来技术的广泛需求和持续创新的结合。
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型号: | SDIN5D1-2G-L |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA-153 |
针数: | 153 |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.77 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B153 |
长度: | 13 mm |
内存密度: | 17179869184 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 153 |
字数: | 2147483648 words |
字数代码: | 2000000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 2GX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
编程电压: | 3.3 V |
座面最大高度: | 1 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
类型: | NAND TYPE |
宽度: | 11.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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