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型号: | SDT3501 |
是否无铅: | 含铅 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.46 |
最大集电极电流 (IC): | 2 A |
集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-5 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 7 W |
最大功率耗散 (Abs): | 7 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 50 MHz |
VCEsat-Max: | 0.4 V |
Base Number Matches: | 1 |
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