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SDT7150产品参数
型号:SDT7150
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.46
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-61
JESD-30 代码:O-MUPM-D3
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:87 W
最大功率耗散 (Abs):87 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHz
VCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1
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