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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 上海乙幸科技有限公司

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  • 上海典宇电子科技有限公司

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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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产品型号SEMIX252GB176HD的Datasheet PDF文件预览

SEMiX 252GB176HD  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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min.  
typ.  
max. Units  
SEMiX 252GB176HD  
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Features  
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1
25-10-2005 GES  
© by SEMIKRON  
SEMiX 252GB176HD  
4I  
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ꢕꢐꢈꢅ ꢉꢖ2ꢊS &  
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, Chapter IX.  
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee  
expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.  
2
25-10-2005 GES  
© by SEMIKRON  
配单直通车
SEMIX252GB176HD产品参数
型号:SEMIX252GB176HD
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数:11
制造商包装代码:CASE SEMIX 2
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.81
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):260 A
集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X11
元件数量:2
端子数量:11
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60747-1
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1000 ns
标称接通时间 (ton):320 ns
Base Number Matches:1
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