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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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配单直通车
SESDONCAN1LT1G产品参数
型号:SESDONCAN1LT1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:R-PDSO-G3
针数:3
制造商包装代码:318-08
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.54
最大击穿电压:32 V
最小击穿电压:26.2 V
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:200 W
元件数量:2
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL
参考标准:AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压:24 V
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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