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| 型号: | SFF10N100/3 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
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