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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • ▲▲▲诚信经营,服务至上,十年专注▲▲▲
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产品型号SFH6916的概述

芯片SFH6916的概述 SFH6916是一款广泛使用的光耦合器芯片,通常在电气隔离与信号传递中扮演重要角色。光耦合器,又称光隔离器,利用光的发射和接收来实现信号的隔离,具有高抗干扰能力、出色的电气隔离性能等优点。SFH6916特别适用于信号传输电路,尤其在数据通信及电源管理等场景中有着广泛的应用。其核心的工作原理是将输入信号转化为光信号,然后通过光电传感器将其接收并转化为输出信号,从而实现信号的隔离与传递。 芯片SFH6916的详细参数 SFH6916的技术参数包含多项关键指标,具体如下: - 输入电压(V_in): 3.5V至20V - 输出电流(I_out): 最大可达50 mA - 绝缘电压(V_iso): 5000 Vrms - 响应时间(t_r、t_f): t_r ≤ 5 µs,t_f ≤ 5 µs - 工作温度范围(T_operate): -40°C至+100°C - 封...

产品型号SFH6916的Datasheet PDF文件预览

SFH6916  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Optocoupler, Phototransistor Output, Quad Channel, SOP-16,  
Half Pitch Mini-Flat Package  
Features  
• SOP (Small Outline Package)  
• Isolation Test Voltage, 3750 VRMS (1.0 s)  
A
C
16  
1
• High Collector-Emitter Voltage,  
CEO = 70 V  
C
A
2
3
15  
14  
E
C
V
C
A
• Low Saturation Voltage  
13  
12  
E
C
4
5
• Fast Switching Times  
C
A
6
7
11 E  
• Temperature Stable  
• Low Coupling Capacitance  
• End-Stackable, 0.050 " (1.27 mm) Spacing  
C
E
10  
9
C
8
i179076  
The coupling devices are designed for signal trans-  
mission between two electrically separated circuits.  
Agency Approvals  
• UL File #E52744 System Code U  
Description  
Order Information  
The SFH6916 has a GaAs infrared emitter, which is  
optically coupled to a silicon planar phototransistor  
detector, and is incorporated in a 16-pin 50 mil lead  
pitch miniflat package. It features a high current trans-  
fer ratio, low coupling capacitance, and high isolation  
voltage.  
Part  
Remarks  
SFH6916  
CTR 50 - 300 %, SMD-16  
For additional information on the available options refer to  
Option Information.  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Stresses in excess of the absolute Maximum Ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is  
not implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute  
Maximum Rating for extended periods of the time can adversely affect reliability.  
Input  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
6.0  
Unit  
V
Reverse voltage  
V
R
DC Forward current  
Surge forward current  
Total power dissipation  
I
50  
2.5  
80  
mA  
A
F
t
10 µs  
I
FSM  
p
P
mW  
diss  
Document Number 83687  
Rev. 1.4, 20-Apr-04  
www.vishay.com  
1
SFH6916  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Output  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
V
V
CE  
EC  
Emitter-collector voltage  
Collector current  
7.0  
50  
V
I
mA  
mA  
mW  
C
t
1.0 ms  
I
100  
150  
p
C
Total power dissipation per  
channel  
P
diss  
Coupler  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
3750  
Unit  
Isolation test voltage between  
emitter and detector (1.0 s)  
V
V
RMS  
ISO  
Creepage  
Clearance  
5.33  
5.08  
175  
mm  
mm  
Comparative tracking index per  
DIN IEC 112/VDEo 303, part 1  
12  
Isolation resistance  
V
V
= 500 V, T  
= 25 °C  
R
IO  
IO  
amb  
IO  
IO  
10  
11  
= 500 V, T  
= 100 °C  
R
amb  
10  
Storage temperature range  
Ambient temperature range  
Junction temperature  
T
- 55 to + 125  
- 55 to +100  
100  
°C  
°C  
°C  
°C  
stg  
T
amb  
T
j
Soldering temperature  
max. 10 s dip soldering distance  
260  
to seating plane 1.5 mm  
Total power dissipation  
P
70  
mW  
tot  
Electrical Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering  
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.  
Input  
T
= 25 °C (except where noted)  
amb  
Parameter  
Test condition  
= 5 mA  
Symbol  
Min  
Typ.  
1.15  
Max  
1.4  
Unit  
V
Forward voltage  
Reverse current  
Capacitance  
I
V
I
F
F
V
= 6.0 V  
0.01  
14  
10  
µA  
pF  
R
R
C
C
O
O
Thermal resistance  
R
1000  
K/W  
thja  
Output  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Min  
Typ.  
Max  
100  
Unit  
nA  
Collector-emitter leakage  
current  
V
V
= 20 V  
I
CE  
CE  
CEO  
Collector-emitter capacitance  
Thermal resistance  
= 5.0 V, f = 1.0 MHz  
C
2.8  
pF  
CE  
R
500  
K/W  
thja  
www.vishay.com  
2
Document Number 83687  
Rev. 1.4, 20-Apr-04  
SFH6916  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Coupler  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Min  
Typ.  
0.1  
Max  
0.4  
Unit  
V
Collector-emitter saturation  
voltage  
I = 20 mA, I = 1.0 mA  
V
CESAT  
F
C
Coupling capacitance  
f = 1.0 MHz  
C
1.0  
pF  
C
Current Transfer Ratio  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
CTR  
Min  
50  
Typ.  
300  
Max  
Max  
Unit  
%
Current Transfer Ratio  
I = 5.0 mA, V = 5.0 V  
F CC  
Switching Characteristics  
Switching Operation (without saturation)  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Min  
Typ.  
4.0  
Unit  
Rise time  
I
= 2.0 mA, V = 10 V,  
t
µs  
C
CC  
r
R = 100 Ω  
L
Fall time  
I
= 2.0 mA, V = 10 V,  
t
3.0  
5.0  
4.0  
µs  
µs  
µs  
C
CC  
f
R = 100 Ω  
L
Turn on time  
Turn off time  
I
= 2.0 mA, V = 10 V,  
t
C
CC  
on  
R = 100 Ω  
L
I
= 2.0 mA, V = 10 V,  
t
C
CC  
off  
R = 100 Ω  
L
Switching Operation (with saturation)  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Min  
Typ.  
15  
Max  
Unit  
Rise time  
I = 16.0 mA, V = 5.0 V,  
t
µs  
F
CC  
r
R = 1.9 kΩ  
L
Fall time  
I
= 16.0 mA, V = 5.0 V,  
t
0.5  
1.0  
30  
µs  
µs  
µs  
F
CC  
f
R = 1.9 kΩ  
L
Turn on time  
Turn off time  
I = 16.0 mA, V = 5.0 V,  
t
F
CC  
on  
R = 1.9 kΩ  
L
I = 16.0 mA, V = 5.0 V,  
t
F
CC  
off  
R = 1.9 kΩ  
L
IF  
RL=1.9 k  
IF  
RL=100  
VCC = 5 V  
IC  
VCC = 10 V  
IC  
50 Ω  
50 Ω  
isfh6916_02  
isfh6916_01  
Fig. 2 Switching Operation (with Saturation)  
Fig. 1 Switching Operation (without Saturation)  
Document Number 83687  
Rev. 1.4, 20-Apr-04  
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3
SFH6916  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)  
1.6  
1.4  
1.1  
0.9  
0.6  
100.000  
10.000  
1.000  
T = –25°C  
T = –25°C  
T = 0°C  
I
I
I
I
I
= 25 mA  
F
F
F
F
F
= 10 mA  
= 5.0 mA  
= 2.0 mA  
= 1.0 mA  
0.100  
T = 100°C  
T = 75°C  
0.010  
T = 50°C  
T = 25°C  
0.001  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0.01  
0.10  
1.00  
10.00  
100.00  
Collector-emitter Saturation Voltage, V  
(sat) (V)  
CE  
Forward Current, I (mA)  
F
isfh6916_03  
isfh6916_06  
Fig. 3 Diode Forward Voltage vs. Forward Current  
Fig. 6 Collector Current vs. Collector-Emitter Saturation Voltage  
80  
70  
1.4  
1.2  
60  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
I
= 30 mA  
F
50  
40  
30  
20  
10  
0
I
= 20 mA  
F
I
= 15 mA  
F
I
= 10 mA  
F
Normalized to 1.0 at T = 25 °C  
I
= 5 mA  
A
F
0.2  
I
= 1.0 mA, V  
= 5.0 V  
F
CE  
0.0  
–60 –40 –20  
Ambient Temperature, T (°C)  
isfh6916_07  
0
2
4
6
8
10  
0
20  
40  
60  
80 100  
Collector to Emitter Voltage, V  
CE  
(V)  
A
isfh6916_04  
Fig. 4 Collector Current vs. Collector Emitter Voltage  
Fig. 7 Normalized Output Current vs. Ambient Temperature  
1000.0  
1.2  
1.0  
24 V  
40 V  
0.8  
0.6  
0.4  
100.0  
12 V  
10.0  
0.2  
0.0  
Normalized to 1.0 at T = 25 °C  
A
I
= 1.0 mA, V  
= 5.0 V  
F
CE  
1.0  
–60 –40 –20  
0
20  
40  
60  
80 100  
–60 –40 –20  
0
20  
40  
60  
80 100  
Ambient Temperature, T (°C)  
Ambient Temperature, T (°C)  
A
A
isfh6916_05  
isfh6916_08  
Fig. 5 Collector to Emitter Dark Current vs. Ambient Temperature  
Fig. 8 Normalized Output Current vs. Ambient Temperature  
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VISHAY  
300  
V
= 5.0 V  
CE  
Input  
pdon  
250  
200  
150  
100  
50  
Typical for  
CTR=250%  
t
t
off  
on  
t
t
pdoff  
t
t
t
f
r
d
Output  
t
s
Typical for  
CTR=150%  
10%  
50%  
90%  
10%  
50%  
90%  
0
0.1  
1.0  
10.0  
50 100.0  
isfh6916_12  
Forward Current, I (mA)  
F
isfh6916_09  
Fig. 9 Current Transfer Ratio vs. Forward Current  
Fig. 12Switching Time Measurement  
100.0  
ton  
10.0  
1.0  
toff  
td  
ts  
V
= 5.0 V  
CC  
= 2.0 mA  
I
C
0.1  
0
500  
1000  
1500  
2000  
Load Resistance, R (ohm)  
L
isfh6916_10  
Fig. 10Switching Time vs. Load Resistance  
1000  
I
V
T
= 5.0 mA  
F
= 5.0 V  
= 25 °C  
CC  
A
100  
10  
1
t
t
CTR = 150%  
f
s
t
t
r
d
0
100  
1000  
10000  
100000  
Load Resistance, R ()  
L
isfh6916_11  
Fig. 11Switching Time vs. Load Resistance  
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Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Package Dimensions in Inches (mm)  
R .010 (.25)  
0.19 (4.83)  
0.17 (4.32)  
.050 (1.27)  
.014 (.36)  
.036 (.91)  
.200 (5.08)  
.045 (1.14)  
.290 (7.37)  
0.434 (11.02)  
0.414 (10.52)  
0.220 (5.59)  
0.200 (5.08)  
40°  
0.017 (0.43)  
0.013 (0.33)  
ISO Method A  
0.034 (0.87)  
0.024 (0.61)  
10°  
0.008 (0.20)  
0.004 (0.10)  
0.080 (2.03)  
0.075 (1.91)  
0.000 (0.00)  
0.005 (0.13)  
0.200 (5.08)  
0.220 (5.59)  
0.018 (0.46)  
0.014 (0.36)  
0.280 (7.11)  
0.260 (6.60)  
0.055 (1.40)  
0.045 (1.14)  
i178043  
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Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Ozone Depleting Substances Policy Statement  
It is the policy of Vishay Semiconductor GmbH to  
1. Meet all present and future national and international statutory requirements.  
2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and  
operatingsystems with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as  
well as their impact on the environment.  
It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are  
known as ozone depleting substances (ODSs).  
The Montreal Protocol (1987) and its London Amendments (1990) intend to severely restrict the use of ODSs  
and forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an  
earlier ban on these substances.  
Vishay Semiconductor GmbH has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the  
use of ODSs listed in the following documents.  
1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments  
respectively  
2. Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental  
Protection Agency (EPA) in the USA  
3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C (transitional substances) respectively.  
Vishay Semiconductor GmbH can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting  
substances and do not contain such substances.  
We reserve the right to make changes to improve technical design  
and may do so without further notice.  
Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each  
customer application by the customer. Should the buyer use Vishay Semiconductors products for any  
unintended or unauthorized application, the buyer shall indemnify Vishay Semiconductors against all  
claims, costs, damages, and expenses, arising out of, directly or indirectly, any claim of personal  
damage, injury or death associated with such unintended or unauthorized use.  
Vishay Semiconductor GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany  
Telephone: 49 (0)7131 67 2831, Fax number: 49 (0)7131 67 2423  
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配单直通车
SFH6916产品参数
型号:SFH6916
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:SOP-16
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.40.80.00
风险等级:5.44
Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:70 V
配置:SEPARATE, 4 CHANNELS
标称电流传输比:50%
最大暗电源:100 nA
最大正向电流:0.05 A
最大绝缘电压:3750 V
JESD-609代码:e0
元件数量:4
最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-55 °C
光电设备类型:TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
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