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| 型号: | SG1626T/DESC |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | MICROSEMI CORP |
| 零件包装代码： | TO-99 |
| 包装说明： | TO-99, CAN8,.2 |
| 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.27 |
| 高边驱动器： | NO |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 标称输出峰值电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | METAL |
| 封装代码： | TO-99 |
| 封装等效代码： | CAN8,.2 |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 4.5/20 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 子类别： | MOSFET Drivers |
| 最大供电电压： | 20 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 15 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 0.04 µs |
| 接通时间： | 0.05 µs |
| Base Number Matches： | 1 |
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