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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 深圳市赛美信科技有限公司

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SG2013J-883B产品参数和技术文档

SG2012-3.3XKC3R产品图

SG2013J-883B产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
75.90000
$75.90

SG2013J-883B产品参数

品牌:Microsemi Corporation

描述:TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP

制造商:Microsemi Corporation

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

晶体管类型:7 NPN 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.9V @ 600μA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):-

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):900 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:-

频率 - 跃迁:-

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:-

供应商器件封装:16-CDIP

标准包装:100

其它名称:1259-1108 1259-1108-MIL

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