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| 型号: | SG2012J |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | MICROSEMI CORP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-CDIP-T16 |
| 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.89 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | 7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 900 |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.9 V |
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