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| 型号: | SG2012L/883B |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.79 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | 7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| JESD-30 代码： | S-CQCC-N20 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 20 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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