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SGB15N60产品参数
型号:SGB15N60
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.21
Is Samacsys:N
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):31 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE
最大降落时间(tf):55 ns
门极发射器阈值电压最大值:5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):138 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):40 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):315 ns
标称接通时间 (ton):54 ns
Base Number Matches:1
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