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型号: | SGD02N120 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 6.84 |
外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 6.2 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | SINGLE |
最大降落时间(tf): | 61 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 3 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 42 W |
认证状态: | Not Qualified |
最大上升时间(tr): | 24 ns |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 375 ns |
标称接通时间 (ton): | 40 ns |
Base Number Matches: | 1 |
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