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| 型号: | SGT10S10 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | EXTERNAL ZENER DIODE FROM ANODE TO GATE |
| 最大转折电压： | 100 V |
| 最小转折电压： | 6 V |
| 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE |
| 最大维持电流： | 100 mA |
| 标称维持电流： | 100 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-202 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 重复峰值反向电压： | 1 V |
| 子类别： | Breakover Diodes |
| 表面贴装： | NO |
| 最大切换电压： | 100 V |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SILICON UNILATERAL SWITCH |
| Base Number Matches： | 1 |
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