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SI1065X-T1-E3产品参数
型号:SI1065X-T1-E3
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.18 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.236 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
Base Number Matches:1
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