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SI1302DL-T1-E3产品参数和技术文档

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价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.16435
$493.04

SI1302DL-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 600mA(Ta) 280mW(Ta) SC-70-3

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):600mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):480 毫欧 @ 600mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.4nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):280mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SC-70-3

封装/外壳:SC-70,SOT-323

标准包装:3,000

其它名称:SI1302DL-T1-E3TR SI1302DLT1E3

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