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SI1302DL-T1-E3产品参数和技术文档
SI1302DL-T1-E3产品参考价格品牌：Vishay Siliconix
描述：MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 600mA（Ta） 280mW（Ta） SC-70-3
制造商：Vishay Siliconix
系列：TrenchFET®
包装：带卷（TR）
零件状态：在售
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：480 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.4nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：280mW（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：SC-70-3
封装/外壳：SC-70，SOT-323
标准包装：3,000
其它名称：SI1302DL-T1-E3TR SI1302DLT1E3
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