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SI1905BDH-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):630mA

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):542 毫欧 @ 580mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):62pF @ 4V

功率 - 最大值:357mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-70-6(SOT-363)

基本零件编号:SI1905

标准包装:3,000

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