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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 毅创腾(集团)有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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SI1905BDH-T1-E3产品参数
型号:SI1905BDH-T1-E3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
零件包装代码:SC-70
包装说明:SC-70, 6 PIN
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.81
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.63 A
最大漏极电流 (ID):0.58 A
最大漏源导通电阻:0.542 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.357 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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