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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 深圳原装正品现货供应,假一罚十,只做原装正品。
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  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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  • 批号23+ 
  • 原厂直供现货价优十年信誉保证每一片都来自原厂原装
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  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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SI1922EDH-T1-GE3产品参数
型号:SI1922EDH-T1-GE3
生命周期:Active
零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.69
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1.3 A
最大漏极电流 (ID):1.3 A
最大漏源导通电阻:0.225 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.25 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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