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SI2327DS-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 380mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):380mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.35 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):510pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):750mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装:3,000

其它名称:SI2327DS-T1-E3TR SI2327DST1E3

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