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SI3127DV-T1-GE3产品参数
型号:SI3127DV-T1-GE3
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.72
Samacsys Description:MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):5.1 A
最大漏源导通电阻:0.089 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MO-193AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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