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SI3453DV-T1-GE3产品参数和技术文档

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SI3453DV-T1-GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.12049
$361.47

SI3453DV-T1-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.4A(Tc) 3W(Tc) 6-TSOP

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):165 毫欧 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6.8nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):155pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:6-TSOP

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装:3,000

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