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SI3458BDV-T1-E3产品参数和技术文档

SI3457DV-NL产品图

SI3458BDV-T1-E3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.42585
$1,277.54

SI3458BDV-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 3.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),3.3W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:6-TSOP

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装:3,000

其它名称:SI3458BDV-T1-E3-ND SI3458BDV-T1-E3TR SI3458BDVT1E3

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