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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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SI3460BDV-T1-E3产品参数
型号:SI3460BDV-T1-E3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:TSOP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:7.04
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/145516.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=145516
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=145516
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=145516
Samacsys PartID:145516
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/SI3460BDV-T1-E3.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/SI3460BDV-T1-E3.jpg
Samacsys Pin Count:6
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:TSOP 6 LEAD
Samacsys Released Date:2015-05-24 21:47:42
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.027 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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