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| 型号: | SI3475DV-T1-E3 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 |
| 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.95 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.2 W |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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