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SI3867DV-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.9A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):51 毫欧 @ 5.1A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.1W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:6-TSOP

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装:3,000

其它名称:SI3867DV-T1-E3TR SI3867DVT1E3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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