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SI4378DY-T1-E3产品参数和技术文档

SI4376DY-T1产品图

SI4378DY-T1-E3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.99189
$2,479.73

SI4378DY-T1-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 19A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 25A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):55nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):8500pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.6W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

其它名称:SI4378DY-T1-E3TR SI4378DYT1E3

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