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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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产品型号SI4410DY-T1-GE3的概述

芯片 SI4410DY-T1-GE3 的概述 SI4410DY-T1-GE3 是一款由万用表(Silicon Labs)公司生产的超低功耗 N 通道 MOSFET。该芯片旨在满足现代电子设备对高效电源管理以及操作信号处理的需求。作为一种高性能的半导体器件,SI4410DY-T1-GE3 广泛用于移动设备、消费电子以及工业应用,尤其是在需要高开关速度和高效能的电路设计中。 在现代电子产品中,降低移动设备的能量消耗至关重要。SI4410DY-T1-GE3 秉承了万用表公司一贯的设计理念,通过优化的功率特性实现低功耗,同时兼具高性能的功能。这些特性使得 SI4410DY-T1-GE3 成为高频率和高带宽的电源开关以及信号放大部分的理想选择。 芯片 SI4410DY-T1-GE3 的详细参数 SI4410DY-T1-GE3 的核心参数包括: - 最大漏源电压 (V_DS):30V - 最大漏电...
配单直通车
SI4410DY-T1-REVA产品参数
型号:SI4410DY-T1-REVA
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.25
Is Samacsys:N
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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